Hynix не отстает

Южнокорейская компания Hynix Semiconductor анонсировала успешное завершение разработки 1 Гбит чипа DDR3, построенного с применением 44-нм технологии. Утверждается, что продукт с подобным сочетанием характеристик – первый в мире, а его производительность по сравнению с прежними, 54-нм чипами, возросла на 50%. Компания считает, что новые чипы соответствуют спецификациям Intel DDR3 DRAM и для построенных на их базе модулей памяти планируется проведение соответствующей сертификации. Начало массового производства микросхем намечено на третий квартал 2009 года.

Новые модули Hynix DDR3 DRAM обеспечивают максимальную скорость трансфера в 2133 Мбит/с с возможностью работы в широком диапазоне питающих напряжений. Отмечается, что благодаря применению технологии "трехмерных транзисторов" удалось добиться снижения токов утечки и уменьшения общего уровня энергопотребления.

Компания надеется, что сочетание высокой производительности и небольшого потребления обеспечит новой продукции возможность применения во множестве приложений, включая буферные схемы устройств хранения, модули памяти для мобильных устройств и память для видеокарт.